<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0"
	xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
	xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
	xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
	xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
	xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
	xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>

<channel>
	<title>Passivated Implante Planer Silicon (PIPS) Detectors &#8211; Thai Unique</title>
	<atom:link href="https://thaiunique.co.th/product-category/passivated-implante-planer-silicon-pips-detectors/feed/" rel="self" type="application/rss+xml" />
	<link>https://thaiunique.co.th</link>
	<description></description>
	<lastBuildDate>Fri, 11 Sep 2026 22:11:49 +0000</lastBuildDate>
	<language>th</language>
	<sy:updatePeriod>
	hourly	</sy:updatePeriod>
	<sy:updateFrequency>
	1	</sy:updateFrequency>
	<generator>https://wordpress.org/?v=7.1.3</generator>

<image>
	<url>https://thaiunique.co.th/wp-content/uploads/2026/10/tu-site-icon-v2-150x150.png</url>
	<title>Passivated Implante Planer Silicon (PIPS) Detectors &#8211; Thai Unique</title>
	<link>https://thaiunique.co.th</link>
	<width>32</width>
	<height>32</height>
</image> 
	<item>
		<title>PIPS® Detectors</title>
		<link>https://thaiunique.co.th/product/pips-detectors/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[mppaearth@gmail.com]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 02 Jul 2026 12:40:22 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://thaiunique.co.th/product/pips-detectors/</guid>

					<description><![CDATA[Passivated Implanted Planar Silicon (PIPS) Detector เป็ [&#8230;]]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[
<p class="wp-block-paragraph">Passivated Implanted Planar Silicon (PIPS) Detector เป็นผลผลิตของเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์สมัยใหม่ ในการใช้งานส่วนใหญ่ detector ชนิดนี้ใช้ทดแทน silicon surface barrier (SSB) detector และ diffused junction (DJ) detector ซึ่งทั้งสองชนิดยังคงผลิตด้วยวิธีเดียวกับที่ผลิตในปี 1960 โดย PIPS detector มีข้อได้เปรียบหลายประการเหนือชนิด SDB และ DJ ดังนี้:</p>



<ul class="wp-block-list">
<li>ขอบ junction ทั้งหมดถูกฝังอยู่ภายใน จึงไม่จำเป็นต้องใช้หรือใช้สาร epoxy edge sealant</li>
<li>หน้าสัมผัสถูกทำแบบ ion-implanted เพื่อสร้าง junction ที่แม่นยำ บาง และคมชัด สำหรับความละเอียดของ alpha ที่ดี</li>
<li>entrance window มีความเสถียรและทนทาน สามารถทำความสะอาดได้ง่ายและเชื่อถือได้</li>
<li>leakage current โดยทั่วไปอยู่ที่ 1/8 ถึง 1/100 ของ detector ชนิด SSB และ DJ</li>
<li>ความหนาของ dead layer (window) น้อยกว่า detector ชนิด SDB หรือ DJ ที่เทียบเคียงกัน</li>
<li>detector มาตรฐานสามารถ bake ได้ถึง 100 °C และสูงกว่านั้นสำหรับรุ่นพิเศษ</li>
</ul>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
		<item>
		<title>PIPSBOX-2×1200-500PA™</title>
		<link>https://thaiunique.co.th/product/pipsbox-2x1200-500pa/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[mppaearth@gmail.com]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 02 Jul 2026 12:37:05 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://thaiunique.co.th/product/pipsbox-2x1200-500pa-2/</guid>

					<description><![CDATA[ระบบนี้สามารถวัดไอโซโทปกัมมันตรังสีของ xenon ที่เกี่ยวข [&#8230;]]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[
<p class="wp-block-paragraph">ระบบนี้สามารถวัดไอโซโทปกัมมันตรังสีของ xenon ที่เกี่ยวข้องทั้งสี่ชนิดได้ โดยใช้ระบบตรวจวัด (detection system) ความละเอียดสูงที่ทำงานในโหมด electron-photon coincidence เป็นระบบตรวจวัดที่มีนวัตกรรม ประกอบด้วย gas cell พร้อม silicon detector สองตัวที่วางประกบหน้าเข้าหากัน โดยทั่วไปใช้ร่วมกับ germanium detector หนึ่งหรือสองตัว</p>



<p class="wp-block-paragraph">charge sensitive preamplifier มีช่องอินพุตสองช่อง ช่องละหนึ่ง detector มีความไว 400 mV/MeV รองรับ charge pulse ทั้งประจุบวกและประจุลบ และให้เอาต์พุตพลังงานในช่วง ±3.5 V บน termination 50 Ω ออกแบบมาเป็นพิเศษเพื่อใช้ร่วมกับ PIPSBOX ในกรณีที่ต้องการ noise ต่ำมาก</p>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
		<item>
		<title>Photo-diodes</title>
		<link>https://thaiunique.co.th/product/photo-diodes/</link>
		
		<dc:creator><![CDATA[mppaearth@gmail.com]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 02 Jul 2026 12:35:26 +0000</pubDate>
				<guid isPermaLink="false">https://thaiunique.co.th/product/photo-diodes-2/</guid>

					<description><![CDATA[Si Photodiodes สำหรับ Electron Beam Detector แบบ single [&#8230;]]]></description>
										<content:encoded><![CDATA[
<p class="wp-block-paragraph">Si Photodiodes สำหรับ Electron Beam Detector แบบ single หรือ multiple junction บน ceramic board</p>



<p class="wp-block-paragraph">คุณสมบัติเด่น</p>



<ul class="wp-block-list">
<li>แบบ single หรือ multiple junction บน ceramic board</li>
<li>entrance window แบบ thin junction: &lt; 50 nm</li>
<li>dark current ต่ำ โดยทั่วไปต่ำกว่า 1 nA /cm2</li>
<li>active area: 50 ถึง 550 mm2, สามารถทำรูปทรงที่แตกต่างหรือออกแบบตามความต้องการได้</li>
<li>รูที่ตรงกลาง: มาตรฐาน 4 mm, sleeve: 16×3 mm</li>
<li>ไม่มี optical window</li>
</ul>
]]></content:encoded>
					
		
		
			</item>
	</channel>
</rss>
