การออกแบบของ multi-element Silicon Drift Detector Array สามารถกำหนดค่าให้ตรงกับความต้องการเฉพาะของการใช้งานของคุณได้ ในขณะที่ยังคงรักษา energy resolution ที่ยอดเยี่ยมไว้ได้แม้ที่ count rate สูง
คุณสมบัติเด่น
- ระบายความร้อนแบบ cryogenic (pulse-tube)
- มีได้ถึง 13 element
- การกำหนดค่าแบบ planar หรือ focused
- preamplifier แบบ CMOS
- แหล่งจ่ายไบแอส HV ในตัว
- หน้าต่าง Be 2 mil (50 μm)
- ไม่ต้องใช้การสูบแบบ active (ไม่ต้องมี ion pump)
- ปลอด thermal cycle