Si Photodiodes สำหรับ Electron Beam Detector แบบ single หรือ multiple junction บน ceramic board
คุณสมบัติเด่น
- แบบ single หรือ multiple junction บน ceramic board
- entrance window แบบ thin junction: < 50 nm
- dark current ต่ำ โดยทั่วไปต่ำกว่า 1 nA /cm2
- active area: 50 ถึง 550 mm2, สามารถทำรูปทรงที่แตกต่างหรือออกแบบตามความต้องการได้
- รูที่ตรงกลาง: มาตรฐาน 4 mm, sleeve: 16×3 mm
- ไม่มี optical window