Model 2003BT เป็น charge sensitive FET input preamp ที่ออกแบบมาเพื่อประสิทธิภาพสูงสุดกับ Silicon detector เช่น Passivated Implanted Planar Silicon (PIPS®) detector และ legacy Silicon Surface Barrier (SSB) detector
คุณสมบัติเด่น
- ออกแบบให้มี noise ต่ำ: น้อยกว่า 2.0 keV (Si) ที่ 0 pF
- รองรับ energy rate สูง: สูงสุด 2 x 106 MeV per second
- FET input พร้อมการป้องกันด้วย diode
- energy output และ fast timing output แยกอิสระจากกัน
- rise time เร็วน้อยกว่า 3 ns ที่ 0 pF
- ขนาดเล็ก
- สามารถทำงานใน vacuum chamber ได้