Passivated Implanted Planar Silicon (PIPS) Detector เป็นผลผลิตของเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์สมัยใหม่ ในการใช้งานส่วนใหญ่ detector ชนิดนี้ใช้ทดแทน silicon surface barrier (SSB) detector และ diffused junction (DJ) detector ซึ่งทั้งสองชนิดยังคงผลิตด้วยวิธีเดียวกับที่ผลิตในปี 1960 โดย PIPS detector มีข้อได้เปรียบหลายประการเหนือชนิด SDB และ DJ ดังนี้:
- ขอบ junction ทั้งหมดถูกฝังอยู่ภายใน จึงไม่จำเป็นต้องใช้หรือใช้สาร epoxy edge sealant
- หน้าสัมผัสถูกทำแบบ ion-implanted เพื่อสร้าง junction ที่แม่นยำ บาง และคมชัด สำหรับความละเอียดของ alpha ที่ดี
- entrance window มีความเสถียรและทนทาน สามารถทำความสะอาดได้ง่ายและเชื่อถือได้
- leakage current โดยทั่วไปอยู่ที่ 1/8 ถึง 1/100 ของ detector ชนิด SSB และ DJ
- ความหนาของ dead layer (window) น้อยกว่า detector ชนิด SDB หรือ DJ ที่เทียบเคียงกัน
- detector มาตรฐานสามารถ bake ได้ถึง 100 °C และสูงกว่านั้นสำหรับรุ่นพิเศษ