Mirion Ultra-LEGe detector ขยายช่วงประสิทธิภาพการทำงานของ Ge detector ลงไปถึงระดับไม่กี่ร้อยอิเล็กตรอนโวลต์ ให้ความละเอียดและอัตราส่วน peak-to-background ที่เคยเชื่อว่าไม่สามารถทำได้ด้วย semiconductor detector
คุณสมบัติเด่น
- สเปกโทรสโกปีตั้งแต่ 300 eV ถึง 300 keV
- ประสิทธิภาพสูงเมื่อเทียบกับ Si(Li) และ SDD
- ความละเอียดที่ยอดเยี่ยมแม้ที่อัตรานับ (count rate) สูงมาก
- อัตราส่วน peak/background สูง